MT46V32M16FN-6 IT:C TR
Micron Technology Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | MT46V32M16FN-6 IT:C TR |
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Hersteller / Marke: | Micron Technology |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 60-FBGA (10x12.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 32M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 167 MHz |
Grundproduktnummer | MT46V32M16 |
Zugriffszeit | 700 ps |
MT46V32M16FN-6 IT:C TR Einzelheiten PDF [English] | MT46V32M16FN-6 IT:C TR PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M16FN-75 MICRON
MT46V32M16FN-6 MICRON
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M16FN-6F MICRON
MT46V32M16FN-6IT Original
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16FN-6IT:F SAMSUNG
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MT46V32M16FN-6 IT:C TRMicron Technology Inc. |
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Zielpreis (USD)
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